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嵌入式組件PCB設(shè)計(jì)

技術(shù)專(zhuān)題

嵌入式組件PCB設(shè)計(jì)


電路設(shè)計(jì)的復(fù)雜性和密度增加了,部分原因是移動(dòng)行業(yè)的興起,給PCB設(shè)計(jì)人員帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)。在電路板基板中嵌入組件可為一些問(wèn)題提供實(shí)用的解決方案,并且它正迅速成為制造商可行的生產(chǎn)步驟。

為什么要嵌入組件?

在討論向設(shè)計(jì)中添加嵌入式組件的方法之前,重要的是要了解它們提供的一些優(yōu)勢(shì)。除了對(duì)成本和產(chǎn)量的潛在影響之外,人們還必須考慮在開(kāi)始設(shè)計(jì)之前增加制造步驟的所有利弊。

尺寸和成本的減少推動(dòng)了PCB技術(shù)的創(chuàng)新。嵌入組件可以幫助減小電路板組件的尺寸。它還可以潛在地降低復(fù)雜產(chǎn)品的制造成本。

在處理高頻電路時(shí),最小化電氣路徑長(zhǎng)度以減少寄生效應(yīng)至關(guān)重要。減少無(wú)源元件到IC的布線(xiàn)長(zhǎng)度可以減少寄生電容和電感,從而減少系統(tǒng)中的負(fù)載波動(dòng)和噪聲。通過(guò)嵌入無(wú)源元件,可以將它們直接放置在IC引腳的下面,從而很大程度地減少潛在的負(fù)面影響,包括過(guò)孔電感(圖1)。

(圖1)

一、最小化到IC的布線(xiàn)長(zhǎng)度是減少寄生效應(yīng)和改善器件性能的常見(jiàn)解決方案。在電路板基板中嵌入組件(頂部)可以在表面安裝(底部)上進(jìn)一步減少導(dǎo)線(xiàn)長(zhǎng)度。

集成電磁干擾(EMI)屏蔽可以直接在嵌入式IC周?chē)圃臁V恍柙?span>IC周?chē)砑与婂兺祝涂梢詼p少電容性和電感性耦合噪聲。在某些應(yīng)用中,它還可以消除對(duì)額外的表面安裝屏蔽的需求。

導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)可以輕松地添加到嵌入式組件中,從而改善了熱管理。一種這樣的示例是將熱微通孔嵌入與嵌入式組件直接接觸,從而允許熱量散發(fā)到熱平面層。此外,減少熱量必須流過(guò)的PCB基板的數(shù)量會(huì)降低熱阻。

在設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)嵌入式組件時(shí),長(zhǎng)期可靠性是困難和擔(dān)憂(yōu)的主要根源。將焊點(diǎn)放置在PCB的層壓框架內(nèi)時(shí),其可持續(xù)性會(huì)受到后續(xù)焊接工藝(例如表面貼裝器件上的回流焊)的影響。嵌入式組件在制造后可能會(huì)引起其他問(wèn)題,因?yàn)闊o(wú)法在故障后對(duì)其進(jìn)行輕松測(cè)試或更換。

嵌入式組件的類(lèi)型

嵌入式組件分為被動(dòng)和主動(dòng)兩大類(lèi),但是它們以不同的方式和不同的用途大量使用。被動(dòng)填充了大部分組件。因此,已經(jīng)對(duì)嵌入式電容和電阻進(jìn)行了全面的研究。

術(shù)語(yǔ)嵌入式無(wú)源通常不是指僅放置在板基板內(nèi)腔中的分立電阻器或電容器。而是,通過(guò)選擇特定的層材料以形成電阻性或電容性結(jié)構(gòu)來(lái)制造嵌入式無(wú)源器件。雖然這些類(lèi)型的嵌入式組件在某一時(shí)刻被大量使用以節(jié)省空間,但較小的分立無(wú)源器件(例如01005封裝)的發(fā)展已使其在許多設(shè)計(jì)中均非必需。

嵌入式無(wú)源器件仍具有許多優(yōu)勢(shì),包括減少寄生效應(yīng)和減小尺寸,并已成為分立式表面安裝無(wú)源器件的常見(jiàn)制造替代方案。這對(duì)于諸如串聯(lián)終端電阻器之類(lèi)的應(yīng)用尤其有利,在該應(yīng)用中,數(shù)百條傳輸線(xiàn)進(jìn)入密集的球柵陣列(BGA)微處理器和存儲(chǔ)設(shè)備。

IC放置在板基板中的制造步驟可能會(huì)有所不同,但必須為組件主體以空腔的形式留出空間。芯片嵌入技術(shù)有幾種值得注意的方法:

?集成模塊板(IMB):將組件對(duì)齊并放置在空腔內(nèi),該空腔通過(guò)控制深度的布線(xiàn)布線(xiàn)到核心層壓板。空腔填充有模制聚合物,以確保與基板的化學(xué),機(jī)械和電氣兼容性。當(dāng)將嵌入式部件層壓到疊層中時(shí),聚合物將各向同性焊料浸漬以形成可靠的焊點(diǎn)。

?嵌入式晶圓級(jí)封裝(EWLP):所有技術(shù)步驟均在晶圓級(jí)執(zhí)行。始終需要扇入,這意味著可用于I / O的區(qū)域受限于芯片尺寸。

?嵌入式芯片構(gòu)建(ECBU):將芯片安裝到聚酰亞胺膜上,并從那里構(gòu)建互連結(jié)構(gòu)。

?聚合物中的芯片(CIP):薄芯片被嵌入到PCB的堆積電介質(zhì)層中,而不是將它們集成到芯層中。然后可以使用標(biāo)準(zhǔn)的層壓基板材料。

組件設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

為嵌入式目的進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí),考慮組件的物理方向和布局很重要。此外,正確選擇兼容的組件和基板材料有助于減少制造過(guò)程中發(fā)生故障的機(jī)會(huì)。

對(duì)于嵌入式無(wú)源器件,選擇特定材料最終決定了那些組件的電性能。嵌入式電阻器只是電阻膜片,其尺寸可實(shí)現(xiàn)一定的電阻值。電阻可以使用以下公式計(jì)算:

其中ρ是材料的電阻率,L是長(zhǎng)度,A是面積。(Wt分別是寬度和厚度。)每種電阻膜材料的電阻率都不同,并且與最終電阻值成正比,這意味著材料的選擇是設(shè)計(jì)和制造過(guò)程的關(guān)鍵部分。

嵌入式電容器是通過(guò)將覆銅板布置和定尺寸為板來(lái)制造的,并在其間適當(dāng)選擇介電材料。然后可以使用以下方法計(jì)算電容:

其中ε - [R是材料的介電常數(shù),ε 0是自由空間的介電常數(shù),A是極板的面積,d是板之間的距離。

介電常數(shù)根據(jù)所選材料而變化,并且與最終電容值成正比。從該方程式可以明顯看出,通過(guò)減小板層中的平面間距離并通過(guò)使平面面積來(lái)增加電容。可以使用特殊材料來(lái)保持介電強(qiáng)度,同時(shí)產(chǎn)生尺寸穩(wěn)定但非常薄的平面到平面介電層,以增加用于電源去耦的平面電容。

對(duì)于嵌入式IC和其他有源元件,主要選擇材料來(lái)考慮腔中元件的長(zhǎng)期可靠性以及基板的耐用性。熱膨脹系數(shù)(CTE)可以描述材料將如何改變并對(duì)高溫事件或過(guò)程做出反應(yīng),例如對(duì)表面貼裝元件進(jìn)行的回流焊接。如果基板材料和用于填充型腔的聚合物之間的CTE(特別是z軸膨脹)不匹配,則可能會(huì)損害板的結(jié)構(gòu)和完整性。

在腔中對(duì)齊和放置嵌入式無(wú)源和有源組件時(shí),使用兩個(gè)基本處理流程:面朝上和面朝下。通過(guò)面朝下地嵌入組件,僅需要在等于封裝高度的深度創(chuàng)建空腔,這意味著可以在同一層上嵌入多個(gè)厚度不同的芯片。面朝下的制造可實(shí)現(xiàn)良好的介電材料厚度控制,以及組裝過(guò)程中良好的組件放置精度。

制造過(guò)程

制造步驟將根據(jù)每個(gè)制造商決定的過(guò)程以及可用的制造設(shè)備而有所不同。通常,用于嵌入組件的制造過(guò)程可以分為兩類(lèi):對(duì)齊并放置在型腔內(nèi)的組件,以及模制到基板中的組件,并從那里構(gòu)建其他結(jié)構(gòu)。

可以使用不同的配置和制造技術(shù)來(lái)形成PCB腔。隨著用于嵌入有源元件的技術(shù)的發(fā)展,已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了更新和更有效的腔體開(kāi)發(fā)方法,具有更高的可靠性和更高的生產(chǎn)良率。

激光鉆孔腔可提供任何方法中的精度和位置精度。由于去除了介電材料,激光束受到精確控制,以實(shí)現(xiàn)均勻的深度控制和磨損。由于激光通常使用大波長(zhǎng),因此它無(wú)法穿透銅層,從而為該過(guò)程建立了定義明確的停止層。在形成腔之后,添加各向異性導(dǎo)電粘合劑物質(zhì),并將組件放置在空隙中。在特定壓力下將熱量施加到系統(tǒng)上,以熔化分散在粘合劑材料中的焊料顆粒并形成可靠的焊料鍵合。

銑削提供了一種更常規(guī)且更具成本效益的方法來(lái)制造型腔。銑刀的尺寸已減小到足以滿(mǎn)足大多數(shù)現(xiàn)代制造需求,但是加工技術(shù)存在實(shí)際限制。盡管如此,銑削和銑削技術(shù)比激光鉆孔技術(shù)更為完善,因此更容易用于創(chuàng)建型腔。

薄晶圓封裝可直接集成到堆積的電介質(zhì)層中,而無(wú)需利用在芯材中鉆孔或布線(xiàn)的空腔。然后可以使用標(biāo)準(zhǔn)的層壓基板材料,例如多層FR-4,從而降低了成本并降低了生產(chǎn)良率。首先,將薄芯片芯片接合到襯底上。接下來(lái),液體環(huán)氧樹(shù)脂或?qū)訅簶?shù)脂涂層銅(RCC)膜均用作電介質(zhì)。通過(guò)優(yōu)化熱壓層壓工藝,可以嵌入芯片而沒(méi)有空隙。

推薦文件

正確記錄具有嵌入式組件的設(shè)計(jì)可以大大減少生產(chǎn)時(shí)間和成本。嵌入式組件過(guò)程將PCB制造,組件封裝和組件組裝結(jié)合到一個(gè)制造過(guò)程流中:

?層堆棧圖:粗略圖顯示嵌入式組件的型腔的位置和方向。

?NC鉆孔文件:應(yīng)生成一個(gè)單獨(dú)的文件以說(shuō)明腔。該信息比層堆疊圖更加詳細(xì)和準(zhǔn)確,將在裸板制造過(guò)程中用于布線(xiàn)或打孔。

?加工注意事項(xiàng):應(yīng)注意任何有關(guān)加工過(guò)程的有用信息。這可能包括特定的基材材料選擇或用于填充型腔的聚合物和環(huán)氧樹(shù)脂材料。

?放置文件:應(yīng)為要嵌入的組件生成一個(gè)單獨(dú)的文件。它應(yīng)包括有關(guān)零部件位置,旋轉(zhuǎn)和層的信息。

?裝配注意事項(xiàng):應(yīng)注意拾取和放置文件中未包含的其他裝配信息。這可能包括是否在層上翻轉(zhuǎn)了組件或任何特殊的組裝說(shuō)明。

嵌入式組件示例

隨著開(kāi)發(fā)越來(lái)越有效的制造工藝,利用嵌入組件的設(shè)備變得越來(lái)越普遍。通常采用無(wú)線(xiàn)模塊來(lái)減小電路板的外形(圖2)。

二、嵌入式組件在移動(dòng)設(shè)備行業(yè)尤為普遍,在這些行業(yè)中,低調(diào)設(shè)備至關(guān)重要。三星Galaxy S4具有一個(gè)Wi-Fi模塊板,其組件嵌入腔中。

模具也可以放置在型腔中(圖3)。

三、裸芯片或帶有經(jīng)過(guò)修改的封裝的芯片通常用于在嵌入時(shí)減小電路板的輪廓。

堆疊的芯片也可以在芯片內(nèi)使用(圖4)。


四、聚合物芯片技術(shù)使薄封裝可以直接嵌入到PCB的層壓框架中。可以堆疊多個(gè)管芯,而無(wú)需板腔,以進(jìn)一步提高組件密度。

這消除了將其放入空腔的需要,但是堆疊式芯片的價(jià)格更高。

結(jié)論

盡管將無(wú)源和有源組件嵌入板基板中的技術(shù)已經(jīng)存在了一段時(shí)間,但直到最近才在制造過(guò)程中執(zhí)行這種步驟才在商業(yè)上可行。對(duì)高密度,薄型電子設(shè)備的市場(chǎng)需求已經(jīng)克服了潛在的缺點(diǎn),例如可靠性問(wèn)題以及成本和生產(chǎn)良率的風(fēng)險(xiǎn)。

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